Show simple item record

dc.contributor.authorИсаев, И. Х.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2014-07-01T10:08:10Z
dc.date.available2014-07-01T10:08:10Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationИсаев, И. Х. Высокочастотные транзисторные генераторы для индукционного нагрева и закалки / И. Х. Исаев // Литье и металлургия. – 2011. – № 1 (59). – С. 176 - 178.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/8529
dc.description.abstractС появлением силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) появилась возможность создания на их базе мощных, высокоэффективных генераторов, обладающих значительными преимуществами по сравнению с теми, которые построены на генераторных лампах.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleВысокочастотные транзисторные генераторы для индукционного нагрева и закалкиru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.74ru
dc.relation.journalЛитье и металлургияru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record