| dc.contributor.author | Колешко, В. М. | ru |
| dc.contributor.author | Гулай, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Лысковский, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Гулай, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Крупская, Е. В. | ru |
| dc.contributor.author | Левченко, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2020-02-28T10:06:03Z | |
| dc.date.available | 2020-02-28T10:06:03Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Сенсорные материалы на основе редкоземельных оксидов: моделирование электронных свойств / В. М. Колешко [и др.] // Машиностроение : республиканский межведомственный сборник научных трудов : по материалам Международной научно-технической конференции «Материалы, оборудование и ресурсосберегающие технологии в машиностроении», 06-09 апреля 2010 года : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; под ред. Б. М. Хрусталева. – Минск : БНТУ, 2012. – Вып. 26, т. 2. – С. 222-227. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/67942 | |
| dc.description.abstract | Выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия. Определена спиновая поляризация носителей заряда вблизи уровня Ферми, которая, например, для оксида самария составляет 48,72%. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Сенсорные материалы на основе редкоземельных оксидов: моделирование электронных свойств | ru |
| dc.type | Article | ru |
