Show simple item record

dc.contributor.authorОджаев, В. Б.ru
dc.contributor.authorПанфиленко, А. К.ru
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.ru
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.ru
dc.contributor.authorПросолович, В. С.ru
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.ru
dc.contributor.authorЧерный, В. В.ru
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.ru
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2020-01-03T09:44:13Z
dc.date.available2020-01-03T09:44:13Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationБиполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/62216
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleБиполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиленияru
dc.typeWorking Paperru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record