Способ изготовления полупроводникового термоэлемента
dc.contributor.author | Сычик, В. А. | |
dc.contributor.author | Шумило, В. С. | |
dc.contributor.author | Шамкалович, В. И. | |
dc.contributor.author | Калантаева, Т. В. | |
dc.date.accessioned | 2019-09-02T07:18:08Z | |
dc.date.available | 2019-09-02T07:18:08Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.identifier.citation | Способ изготовления полупроводникового термоэлемента : пат. 7007 Респ. Беларусь : МПК7 H01L35/28 / В. А. Сычик [и др.] ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2005.06.30. | ru |
dc.identifier.other | 7007 | |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/56910 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.title | Способ изготовления полупроводникового термоэлемента | ru |
dc.title.alternative | Пат. 7007 Респ. Беларусь | ru |
dc.type | Patent | ru |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
Изобретения[4971]