Show simple item record

dc.contributor.authorРусецкий, В. А.
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2013-12-05T11:12:18Z
dc.date.available2013-12-05T11:12:18Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationРусецкий, В. А. Технология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографии / В. А. Русецкий // Наука и техника : международный научно-технический журнал. – 2013. – № 4. – С. 43–49.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/5496
dc.description.abstractПриводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleТехнология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографииru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.3ru
dc.relation.journalНаука и техника : международный научно-технический журнал. – 2013. – № 4.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record