dc.contributor.author | Русецкий, В. А. | |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2013-12-05T11:12:18Z | |
dc.date.available | 2013-12-05T11:12:18Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.citation | Русецкий, В. А. Технология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографии / В. А. Русецкий // Наука и техника : международный научно-технический журнал. – 2013. – № 4. – С. 43–49. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/5496 | |
dc.description.abstract | Приводятся результаты разработки нового подхода к изготовлению оригиналов топологии на фотошаблонах, обеспечивающего возможность оперативной оценки фотолитографической значимости дефектов маски, обнаруженных в процессе контроля фотошаблонов на соответствие топологии, без выполнения операции проекционного переноса изображения с фотошаблона на полупроводниковую пластину. Данный подход гарантирует отсутствие не только одиночных, но и групповых дефектов топологии, а также дефектов структур коррекции оптической близости. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Технология изготовления фотошаблонов, основанная на оперативном моделировании параметризованных процессов фотолитографии | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.identifier.udc | 621.3 | ru |
dc.relation.journal | Наука и техника : международный научно-технический журнал. – 2013. – № 4. | ru |