Now showing items 1-3 of 3

    • Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры 

      Плющевский, И. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Плющевский, И. А. Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры / И. А. Плющевский, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 371.
      2018-09-06
    • Исследование выходных характеристик МОП-транзисторов на основе кремния 

      Шляхтун, С. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Шляхтун, С. В. Исследование выходных характеристик МОП-транзисторов на основе кремния / С. В. Шляхтун, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 393.
      2018-09-06
    • Исследование электрических и оптических свойств светодиодов для определения постоянной Планка 

      Булкина, А. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Булкина, А. С. Исследование электрических и оптических свойств светодиодов для определения постоянной Планка / А. С. Булкина, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 342.
      2018-09-05