Now showing items 1-2 of 2

    • Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов 

      Гамезо, А. А.; Ананьева, И. Р.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2016)
      Гамезо, А. А. Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов / А. А. Гамезо, И. Р. Ананьева, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...
      2016-09-12
    • Ультразвуковой толщиномер для работы в полевых условиях 

      Ананьева, И. Р.; Куклицкая, А. Г. (БНТУ, 2016)
      Ананьева, И. Р. Ультразвуковой толщиномер для работы в полевых условиях / И. Р. Ананьева, А. Г. Куклицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – Т. ...
      2016-09-12