| dc.contributor.author | Степанова-Паршуто, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Паршуто, А. А. | |
| dc.contributor.author | Смягликов, И. П. | |
| dc.contributor.author | Климова, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Предко, А. А. | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2019-04-18T10:05:38Z | |
| dc.date.available | 2019-04-18T10:05:38Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Перспективы применения высоковольтного электрохимического оксидирования для обработки алюминиево-кремниевых сплавов = The prospects of high-voltage electrochemical oxidation for processing of aluminum-silicon alloys / Е. А. Степанова-Паршуто [и др.] // Современные методы и технологии создания и обработки материалов : материалы XIII Международной научно-технической конференции, 12-14 сентября 2018 г. [Электронный ресурс]. – Минск : [б. и.], 2018. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/51934 | |
| dc.description.abstract | Рассматривается возможность использования высоковольтного электрохимического оксидирования для формирования оксидных покрытий на алюминиево-кремниевых сплавах. На примере сплава АК12 (4007) разработаны электролиты, обеспечивающие формирование плотных однородных оксидных слоев большой толщины (до 100 мкм). Показано, что в структуру оксидного слоя входят содержащиеся в исходном обрабатываемом сплаве частицы кремния, которые блокируют доступ кислорода к подложке и препятствуют дальнейшему росту покрытия. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Перспективы применения высоковольтного электрохимического оксидирования для обработки алюминиево-кремниевых сплавов | ru |
| dc.title.alternative | The prospects of high-voltage electrochemical oxidation for processing of aluminum-silicon alloys | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The possibility of high-voltage electrochemical oxidation for formation of oxide coatings on aluminum-silicon alloys is considered. On the example of the AK12 (4007) alloy the electrolytes were developed to provide the formation of thick homogeneous oxide layers of high thickness (up to 100 microns). It has been shown that the oxide layer contains silicon
particles of the original processed alloy, which block the access of oxygen to the substrate and stop the further coating growth. | ru |
