Browsing Новые направления развития приборостроения by Author "Яржембицкая, Н. В."
Now showing items 1-8 of 8
-
Анализ методов расширения динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП)
Адамович, А. Р.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2016)Адамович, А. Р. Анализ методов расширения динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) / А. Р. Адамович, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ...2016-09-12 -
Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда
Селянтьев, В. А.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2009)Селянтьев, В. А. Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда / В. А. Селянтьев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 87.2022-10-26 -
Моделирование динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями акцепторной природы
Комлева, И. А.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2015)Комлева, И. А. Моделирование динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями акцепторной природы / И. А. Комлева, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. ...2022-08-24 -
Модель измерения характеристик фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями с учетом нелинейной рекомбинации неравновесных носителей заряда
Качан, Р. Ф.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2015)Качан, Р. Ф. Модель измерения характеристик фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями с учетом нелинейной рекомбинации неравновесных носителей заряда / Р. Ф. Качан, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. ...2022-08-24 -
Немонотонный профиль потенциала в диодах шоттки с компенсированным многозарядными примесями приповерхностным слоем
Комлева, И. А.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2016)Комлева, И. А. Немонотонный профиль потенциала в диодах шоттки с компенсированным многозарядными примесями приповерхностным слоем / И. А. Комлева, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический ...2016-09-12 -
Физико-математическое моделирование границ диапазона линейности энергетической характеристики фотоприемников на основе полупроводников с глубокими примесями
Яржембицкая, Н. В.; Гусев, О. К. (БНТУ, 2008)Яржембицкая, Н. В. Физико-математическое моделирование границ диапазона линейности энергетической характеристики фотоприемников на основе полупроводников с глубокими примесями / Н. В. Яржембицкая, О. К. Гусев // Новые направления развития приборостроения : материалы Республиканской студенческой научно-технической конференции (май 2008 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо (пред.) [и др.]. ...2022-08-30 -
Фотоприемник ИК-излучения на основе германия с глубокими центрами радиационного происхождения
Дронь, А. И.; Яржембицкая, Н. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2009)Дронь, А. И. Фотоприемник ИК-излучения на основе германия с глубокими центрами радиационного происхождения / А. И. Дронь, Н. В. Яржембицкая, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 88.2022-10-26 -
Широкодиапазонный фотоприемник на основе полупроводников с многозарядными примесями с расширенными функциональными возможностями
Яржембицкая, Н. В.; Гусев, О. К. (БНТУ, 2011)Яржембицкая, Н. В. Широкодиапазонный фотоприемник на основе полупроводников с многозарядными примесями с расширенными функциональными возможностями / Н. В. Яржембицкая, О. К. Гусев // Новые направления развития приборостроения : материалы 4-й Международной студенческой научно-технической конференции, 20-22 апреля 2011 г. : конференция посвящается 90-летию Белорусского национального ...2021-03-10