Температурные зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковых пленках PbxSn1-xTe
| dc.contributor.author | Иванов, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Малаховская, В. Э. | ru |
| dc.contributor.author | Красовский, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Гременок, В. Ф. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-06-27T13:07:26Z | |
| dc.date.available | 2018-06-27T13:07:26Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Температурные зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковых пленках PbxSn1-xTe / В. А. Иванов [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 469. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/42906 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Температурные зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковых пленках PbxSn1-xTe | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
