Построение модели образования аморфного SiC
| dc.contributor.author | Агель, В. | ru |
| dc.contributor.author | Ковалевская, А. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2018-01-09T08:37:29Z | |
| dc.date.available | 2018-01-09T08:37:29Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Агель, В. Построение модели образования аморфного SiC / В. Агель, А. В. Ковалевская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2010. - С. 153. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/36330 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Построение модели образования аморфного SiC | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
