Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями
dc.contributor.author | Пузына, Г. С. | ru |
dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2018-01-04T07:07:14Z | |
dc.date.available | 2018-01-04T07:07:14Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.identifier.citation | Пузына, Г. С. Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями / Г. С. Пузына, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2010. - С. 53. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/36145 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БНТУ | ru |
dc.title | Особенности использования мостовой схемы измерения параметров фоторезисторов на основе полупроводников с многозарядными примесями | ru |
dc.type | Working Paper | ru |