Особенности поведения тока диодов Шоттки на основе GaAs
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-08-30T07:16:44Z | |
| dc.date.available | 2017-08-30T07:16:44Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Черный, В. В. Особенности поведения тока диодов Шоттки на основе GaAs / В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 440. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/32370 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Особенности поведения тока диодов Шоттки на основе GaAs | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
