Влияние формы и размеров глубинного слоя SiO, сформированного в пластинах Cz-Si, на изменение спектральной зависимости фотоЭДС
| dc.contributor.author | Францкевич, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Францкевич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Шеденков, С. И. | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-08-29T06:23:37Z | |
| dc.date.available | 2017-08-29T06:23:37Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Францкевич, Н. В. Влияние формы и размеров глубинного слоя SiO, сформированного в пластинах Cz-Si, на изменение спектральной зависимости фотоЭДС / Н. В. Францкевич, А. В. Францкевич, С. И. Шеденков // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 426. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/32280 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Влияние формы и размеров глубинного слоя SiO, сформированного в пластинах Cz-Si, на изменение спектральной зависимости фотоЭДС | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
