| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2015-11-10T10:34:27Z | |
| dc.date.available | 2015-11-10T10:34:27Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Численное моделирование лазерно-индуцированных фазовых превращений в полупроводниках / Е. И. Гацкевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 279. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/19207 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Численное моделирование лазерно-индуцированных фазовых превращений в полупроводниках | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| dc.relation.book | Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3 | ru |
