Исследование резонансной нелинейности GaAs/InGaAs/GaAs квантовых ям в спектральной области 1 мкм

Abstract

Объектом исследования являются полупроводниковые структуры на основе квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs. Цель работы – исследование нелинейных оптических свойств GaAs/InGaAs/GaAs квантовых ям по методике возбуждение-зондирование. Изучение режима пассивной синхронизации мод с затворами на основе данных наноструктур. В работе исследованы кинетические характеристики полупроводниковых наноструктур с квантовыми ямами типа GaAs/InGaAs/GaAs на экспериментальной установке, работающей по методу возбуждения-зондирования в спектральной области генерации иттербиевых лазеров. Полученные значения времен релаксации варьировались от нескольких сотен до нескольких единиц пикосекунд. Облучение полупроводниковых наноструктур ультрафиолетовым излучением позволило существенно сократить время восстановления начального пропускания. Изучены энергетические характеристики предложенных наноструктур. Проведена апробация таких материалов в качестве пассивных затворов иттербиевых лазеров, работающих в режиме синхронизации мод. Получен стабильный режим генерации с длительностью импульсов около 235 фс. Результаты, полученные при выполнении НИР, могут использоваться при создании иттербиевых лазеров сверхкоротких импульсов, работающих в режиме пассивной синхронизации мод, а также при дальнейших разработках в области создания пассивных затворов, в том числе для работы в безопасных для зрения спектральных диапазонах около 1,5 или 2 мкм.