Использование двухбарьерных полупроводниковых структур в высокопроизводительных каналах связи
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-03-16T05:39:10Z | |
| dc.date.available | 2026-03-16T05:39:10Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Использование двухбарьерных полупроводниковых структур в высокопроизводительных каналах связи / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. – С. 65-66. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/166527 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Использование двухбарьерных полупроводниковых структур в высокопроизводительных каналах связи | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
