Исследование стабильности датчиков холла, изготовленных из полупроводниковых структур n-InSb1 Bi,-i-GaAs
| dc.contributor.author | Прокошин, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ярмолович, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Драпезо, А. П. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-03-12T05:44:51Z | |
| dc.date.available | 2026-03-12T05:44:51Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Прокошин, В. И. Исследование стабильности датчиков холла, изготовленных из полупроводниковых структур n-InSb1 Bi,-i-GaAs / В. И. Прокошин, В. А. Ярмолович, А. П. Драпезо // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2011. – С. 387-389. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/164714 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Исследование стабильности датчиков холла, изготовленных из полупроводниковых структур n-InSb1 Bi,-i-GaAs | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
