Зависимость параметров субмикронного N-P-N-транзистора от режимов формирования базовой области
| dc.contributor.author | Белоус, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-03-12T05:44:42Z | |
| dc.date.available | 2026-03-12T05:44:42Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Зависимость параметров субмикронного N-P-N-транзистора от режимов формирования базовой области / В. А. Белоус, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, В. В. Черный // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2011. – С. 271-273. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/164643 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Зависимость параметров субмикронного N-P-N-транзистора от режимов формирования базовой области | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
