| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | ru |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | ru |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | ru |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Исмайлов, Б. К. | ru |
| dc.contributor.author | Кенжаев, З. Т. | ru |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:31Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:31Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов с геттерами, созданными ионной имплантацией сурьмы = Voltage-current characteristics of p-i-n photodiodes with getters created by ion implantation of antimony / В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, [и др.] // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 168-170. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162794 | |
| dc.description.abstract | Исследованы вольтамперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сфомированные имплантацией ионов сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после формирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Наличие на вольтамперных характеристиках p-i-n-фотодиодов, содержащих геттерирующие центры, созданные имплантацией ионов сурьмы, ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и технологических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов с геттерами, созданными ионной имплантацией сурьмы | ru |
| dc.title.alternative | Voltage-current characteristics of p-i-n photodiodes with getters created by ion implantation of antimony | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Volt-ampere characteristics of p-i-n photodiodes containing getters phosted by implantation of antimony ions on the back of a silicon wafer were investigated. In parallel, control samples were studied that went through all stages of the instrument manufacturing process, with the exception of implantation of impurities in the nonplanar side of the plate. It has been shown that after the formation of the getter, the electrophysical parameters of the devices significantly depend on both the type of embedded ions and the modes of subsequent precipitation and diffusion annealing. Presence of stepped sections on current-voltage characteristics of p-i-n photodiodes, which contain gettering centres created by implantation of antimony ions, testifies to thermal generation of charge carriers from deep energy levels of in homogeneously distributed structural defects and technological impurities in the space charge region of p-i-n photodiodes. | ru |
