| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:27Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:27Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Гацкевич, Е. И. Лазерно-индуцированные диффузионые процессы в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками = Laser-induced diffusion processes in Ge/Si heterostructures with quantum dots / Е. И. Гацкевич, // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 117-119. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162766 | |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование термостимулированной диффузии в GeSi гетероструктурах с квантовыми точками в условиях воздействия импульсами лазеров наносекундной длительности. Определены режимы частичного и полного растворения квантовых точек. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Лазерно-индуцированные диффузионые процессы в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками | ru |
| dc.title.alternative | Laser-induced diffusion processes in Ge/Si heterostructures with quantum dots | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | Modeling of thermostimulated diffusion in GeSi heterostructures with quantum dots under conditions of irradiation by nanosecond laser pulses has been carried out. Modes of partial and complete dissolution of quantum dots were determined. | ru |
