| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.contributor.author | Уласюк, Н. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:23:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Сычик, В. А. Синтез полупроводникового преобразователя оптического излучения = Synthesis of a semiconductor optical radiation converter / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 101-104. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162757 | |
| dc.description.abstract | Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии включает формирование на металлическом основании с внешним выводом слой диэлектрика, делящий основание на первую и вторую область, затем последовательно формируют из широкозонного полупроводника n+-слой на первой области основания, p+-слой на второй области основания, эпитаксиальный слой p-слой на n-слое, эпитаксиальный n-слой на эпитаксиальном p-слое, формируют варизоный эпитаксиальный p-слой на эпитаксиальном p-слое и варизоный эпитаксиальный n-слой на эпитаксиальном n-слое, затем последовательно формируют из более широкозонного полупроводника эпитаксиальный n-слой на варизонном n-слое, эпитаксиальный p-слой на варизонном p-слое, наносят на полученную фоточувствительную структуру просветляющий слой и омические контакты. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Синтез полупроводникового преобразователя оптического излучения | ru |
| dc.title.alternative | Synthesis of a semiconductor optical radiation converter | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | A method for manufacturing a semiconductor solar energy converter includes forming a dielectric layer on a metal base with an external terminal, dividing the base into a first and a second region, then sequentially forming an n+ layer on the first region of the base from a wide-band semiconductor, a p+ layer on the second region of the base, an epitaxial p-layer on the n-layer, an epitaxial n-layer on the epitaxial p-layer, forming a graded-gap epitaxial p-layer on the epitaxial p-layer and a graded-gap epitaxial n-layer on the epitaxial n-layer, then sequentially forming an epitaxial nlayer on a graded-gap n-layer from a wider-band semiconductor, an epitaxial p-layer on a graded-gap p-layer, applying an antireflection layer and ohmic contacts to the resulting photosensitive structure. | ru |
