| dc.contributor.author | Забогонский, К. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2026-01-14T07:22:48Z | |
| dc.date.available | 2026-01-14T07:22:48Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Моделирование процессов стационарной рекомбинации с помощью специализированного программного обеспечения, реализованного на языке Python = Modeling of stationary recombination processes using specialized software implemented in Python / К. А. Забогонский, Л. И. Шадурская, Р. И. Воробей, О. К. Гусев // Приборостроение-2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2025 года Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 315-317. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/162635 | |
| dc.description.abstract | В работе представлено моделирование процессов стационарной рекомбинации с использованием специализированного программного обеспечения, реализованного на языке Python. Разработанный программный комплекс позволяет учитывать влияние дефектов и примесей в полупроводниках и получать зависимости функций заполнения и времени жизни носителей от концентрации избыточных зарядов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Моделирование процессов стационарной рекомбинации с помощью специализированного программного обеспечения, реализованного на языке Python | ru |
| dc.title.alternative | Modeling of stationary recombination processes using specialized software implemented in Python | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The paper presents modeling of stationary recombination processes using specialized software implemented in Python. The developed software allows considering the influence of defects and impurities in semiconductors and provides dependencies of filling functions and carrier lifetime on excess charge concentration. | ru |
