Моделирование светоизлучающих p–n-структур на основе GaAs

Abstract

Разработана одномерная модель p–n-структуры на основе GaAs, с помощью которой выполнено приборное моделирование указанного светоизлучающего перехода и исследованы его электрофизические свойства. Моделирование выполнено с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения рассмтриваемой диодной структуры от координаты и определить, как положение максимума интенсивности его излучения Imax зависит от напряжения, прикладываемого к p–n-переходу. Установлено, что при низких уровнях инжекции смещение Imax по глубине GaAs-структур отсутствует; в условиях высоких уровней инжекции наблюдается смещение положения Imax в область с более высоким уровнем концентрации легирующей примеси.