| dc.contributor.author | Реутская, О. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Таратын, И. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:51Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:16:51Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Реутская, О. Г. Технология лазерного формирования в разработке газовых сенсоров = Laser forming technology in gas sensors development / О. Г. Реутская, И. А. Таратын // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 405-406. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153176 | |
| dc.description.abstract | Совершенствование процессов микромеханической обработки материалов для создания компонентов газовых сенсоров приводит к необходимости использования высокоточных лазерных установок. Изготовлены газовые сенсоры на подложках пористого оксида алюминия с применением технологии лазерного формирования. В качестве газочувствительного слоя выбран состав In2O3+Ga2O3 в среде HNO3. Получена вольт-амперная характеристика представленного сенсора. При воздействии спирта во время регистрации сигнала наблюдаются различные механизмы срабатывания: каталитический и полупроводниковый. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Технология лазерного формирования в разработке газовых сенсоров | ru |
| dc.title.alternative | Laser forming technology in gas sensors development | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | Improvement of micromechanical processing of materials for creating components of gas sensors leads to the need to use high-precision laser installations. Gas sensors on porous aluminum oxide substrates are manufactured using laser formation technology. The composition In2O3+Ga2O3 in the HNO3 medium is selected as a gas-sensitive layer. The volt-ampere characteristic of the presented sensor is obtained. When exposed to alcohol during signal recording, various response mechanisms are observed: catalytic and semiconductor. | ru |
