| dc.contributor.author | Францкевич, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Францкевич, Н. В. | ru |
| dc.contributor.author | Мартинович, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:45Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:16:45Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Францкевич, А. В. Влияние плотности упаковки глубинного тонкого слоя SIxO1-x на изменение спектральной зависимости фото-ЭДС = Influence of packing density of a deep thin layer of SIxO1-x on the change in the spectral dependence of photo-EMF / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 287-288. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153112 | |
| dc.description.abstract | Одна из технологий (TOPCon) по производству солнечных элементов активно развиваемых на сегодняшний день, это создание с тыльной стороны солнечного элемента пассивирующего отражающего слоя SiO2. В своих предыдущих исследованиях мы изучали возможность формирования структуры Si\SixOy\Si в результате геттерирования кислорода на слое предварительно созданных дефектов. Полученная структура может работать как отражающий слой в солнечном элементе при условии ее освещения не с лицевой, а с тыльной стороны. Пластины Cz-Si n-типа имплантировались водородом разными дозами, обрабатывались в DC плазме кислорода при T = 350 оС, и отжигались в вакууме при Т = 700 оС. В результате формировалась островковая структура Si\SixOy\Si. Размер островков и плотность их упаковки зависит от дозы предимплантированного водорода и условий плазменной обработки. Для полученных структур изучалась спектральная зависимость фото-ЭДС, при освещении образцов с лицевой и тыльной стороны. Полученные результаты показывают об изменении спектрального диапазона в котором регистрируется фото-ЭДС, в зависимости от дозы предимплантированного водорода, т.е. размера и плотности упаковки островков SixOy | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Влияние плотности упаковки глубинного тонкого слоя SIxO1-x на изменение спектральной зависимости фото-ЭДС | ru |
| dc.title.alternative | Influence of packing density of a deep thin layer of SIxO1-x on the change in the spectral dependence of photo-EMF | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | One of the technologies for the production of solar cells actively developed today is the creation of a reflective layer of SiO2 on the back side of the solar cell. In our previous studies, we studied the possibility of forming a Si\SixOy\Si structure as a result of oxygen gettering on a layer of pre-created defects. The resulting structure can work as a reflective layer in a solar cell, provided that it is illuminated not from the front, but from the back side. N-type Cz-Si wafers were implanted with hydrogen in different doses, processed in DC oxygen plasma at T = 350 оC, and annealed in vacuum at Т = 700 оС. As a result, an island structure of Si\SixOy\Si was formed. The size of the islands and the density of their packing depend on the dose of pre-implanted hydrogen and the conditions of plasma treatment. For the obtained structures, the spectral dependence of the photo-EMF was studied when illuminating the samples from the front and back sides. The obtained results show a change in the spectral range in which photo-EMF is registered, depending on the size and packing density of SixOy islands. | ru |
