Show simple item record

dc.contributor.authorФилимонов, А. В.ru
dc.contributor.authorБондаренко, В. Б.ru
dc.contributor.authorКораблев, В. В.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2025-02-05T12:16:39Z
dc.date.available2025-02-05T12:16:39Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.citationФилимонов, А. В. Хаотический потенциал на поверхности вырожденных полупроводников и в контактах = Chaotic potential on the degenerated semiconductor surface and in contacts / А. В. Филимонов, В. Б. Бондаренко, В. В. Кораблев // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 423-424.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/153082
dc.description.abstractВ работе обсуждаются естественные неоднородности потенциала на поверхности вырожденного полупроводника и флуктуации высоты барьера в контактах металл-полупроводник. Определены характерные значения амплитуды хаотического потенциала в случае линейного экранирования электроактивной примеси. Показана зависимость данных неоднородностей от электрофизических параметров полупроводника.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнтегралполиграфru
dc.titleХаотический потенциал на поверхности вырожденных полупроводников и в контактахru
dc.title.alternativeChaotic potential on the degenerated semiconductor surface and in contactsru
dc.typeArticleru
local.description.annotationIn this paper, natural heterogeneities of the potential on the degenerated semiconductor surface are discussed as well as the barrier height fluctuations in metal-semiconductor contacts. In the case of electroactive dopant linear screening, characteristic values of chaotic potential amplitudes have been defined. The dependence is shown of these heterogeneities on semiconductor electrophysical parameters.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record