| dc.contributor.author | Лисенков, Б. Н. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:15:51Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:15:51Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Лисенков, Б. Н. Измерение заряда затвора силовых транзисторов = Measuring the gate charge of power transistors / Б. Н. Лисенков // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 149-150. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153048 | |
| dc.description.abstract | Представлена методика измерения полного заряда затвора Qg, заряда затвор-исток Qgs и заряда затвор-сток Qgd силового МОП транзистора. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Измерение заряда затвора силовых транзисторов | ru |
| dc.title.alternative | Measuring the gate charge of power transistors | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | The paper presents a technique for measuring the total gate charge Qg, gate-source charge Qgs, and gate-drain charge Qgd of a power MOSFET. | ru |
