| dc.contributor.author | Абрамов, С. А. | ru |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | ru |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | ru |
| dc.contributor.author | Колос, В. В. | ru |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | ru |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:15:49Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:15:49Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Спектры поглощения фоторезистов для обратной литографии = Absorption spectra of photoresists for reverse lithography / С. А. Абрамов, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 108-110. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153026 | |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 толщиной 5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивными являются полосы валентных колебаний ароматического кольца ( ~1500 см–1), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный максимум ~1595 и 1610 см–1), широкая структурированная полоса с несколькими максимумами в диапазоне 1050–1270 см–1 и полоса, связанная с СН2-мостиком. Показано, что полоса колебаний CH3 групп при 2945 см–1 обусловлена растворителем. Различия в спектрах диффузного отражения фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 связаны с наличием в пленках остаточного растворителя. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Спектры поглощения фоторезистов для обратной литографии | ru |
| dc.title.alternative | Absorption spectra of photoresists for reverse lithography | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | Films of AZ nLOF 2020 and AZ nLOF 2070 negative photoresists with a thickness of 5.9 microns deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation were studied by the method of diffuse reflection IR-Fourier spectroscopy. The most intense are the bands of valence vibrations of the aromatic ring (~1500 cm–1), pulsation vibrations of the carbon skeleton of the aromatic ring (double maximum ~1595 and 1610 cm–1), a wide structured band with several maxima in the range of 1050–1270 cm–1 and a band associated with the CH2 bridge. It is shown that the oscillation band of the CH3 groups at 2945 cm–1 is due to a solvent. Differences in the diffuse reflection spectra of AZ nLOF2020 and AZ nLOF2070 photoresists are associated with the presence of residual solvent in the films. | ru |
