| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:15:44Z | |
| dc.date.available | 2025-02-05T12:15:44Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Полевой фототранзистор = Field phototransistor / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 25-26. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/152979 | |
| dc.description.abstract | Описана структура и основные характеристики полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новый состав преобразовательных характеристик, с возможностью их управления дополнительным оптическим управляющим сигналом. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
| dc.title | Полевой фототранзистор | ru |
| dc.title.alternative | Field phototransistor | ru |
| dc.type | Article | ru |
| local.description.annotation | The structure and basic characteristics of the field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics, with the possibility of controlling their additional optical control signal. | ru |
