Разработка методики исследования фотоэлектрических процессов на поверхности диэлектриков

Abstract

Целью научно-исследовательской работы является разработка методики исследования фотоэлектрических процессов на поверхности диэлектриков с использованием электрометрического зонда в совокупности с дополнительным внешним оптическим воздействием различного диапазона длин волн. Результаты работы, отраженные в настоящем отчете, включают разработанные конструкцию системы управляемого оптического воздействия в спектре ультрафиолетового диапазона и схему сопряжения макета системы оптического воздействия с измерительной установкой зондового картирования распределения электростатического потенциала поверхности; программный алгоритм работы осветителя в составе сканирующей установки, заключающийся в проведении двух и более отсчетов, при установившемся значении измеряемой величины, до и после воздействия ультрафиолетовым излучением с заданными параметрами; методику исследований фотоэлектрических процессов на поверхности диэлектриков и рекомендации по практическому использованию методики исследования фотоэлектрических процессов на поверхности диэлектриков с использованием зарядочувствительного зонда. Область применения: методика исследования фотоэлектрических процессов на поверхности диэлектриков может быть использована в системах для непрерывного мониторинга технологических процессов производства материалов и изделий, при исследовании однородности фотоэлектрических процессов на поверхности и контроля однородности свойств диэлектрических материалов, отработке составов функциональных и конструктивных материалов с заданными электрофизическими свойствами для ответственных узлов и механизмов, радиоэлектронной аппаратуры, изделий микро электроники и др.