| dc.contributor.advisor | Пекарчик, О. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шенец, А. С. | ru |
| dc.contributor.author | Кагочкин, П. Д. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2024-01-08T07:24:42Z | |
| dc.date.available | 2024-01-08T07:24:42Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Шенец, А. С. GaN – транзисторы = GaN – transistors / А. С. Шенец, П. Д. Кагочкин ; науч. рук. О. А. Пекарчик // Электроэнергетика и электротехника [Электронный ресурс] : материалы 79-й научно-технической конференции студентов и аспирантов «Актуальные проблемы энергетики» (Апрель 2023 г.) / редкол.: Е. Г. Пономаренко, И. В. Новаш, Е. А. Дерюгина ; сост. Т. Е. Жуковская. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 7-10. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/139037 | |
| dc.description.abstract | В данной статье рассмотрен принцип действия транзистора на основе нитрида галлия. Описаны преимущества использования данного транзистора, его свойства и сферы применения. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | GaN – транзисторы | ru |
| dc.title.alternative | GaN – transistors | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | This article discusses the principle of operation of a transistor based on gallium nitride. The advantages of using this transistor, its properties and appli-cations are described. | ru |
