Now showing items 1-1 of 1

    • GaN – транзисторы 

      Шенец, А. С.; Кагочкин, П. Д. (БНТУ, 2023)
      В данной статье рассмотрен принцип действия транзистора на основе нитрида галлия. Описаны преимущества использования данного транзистора, его свойства и сферы применения.
      2024-01-08