| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-12-21T07:32:25Z | |
| dc.date.available | 2023-12-21T07:32:25Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Гусев, О. К. Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании = Introduction of impurity into the epitaxial layer during solid-phase doping / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 45-46. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/138604 | |
| dc.description.abstract | Предлагается комбинированный способ легирования эпитаксиального слоя в процессе его выращивания, заключающийся в введении дополнительной примеси. По отношению к свойствам основной примеси дополнительная примесь должна вызывать противоположное по знаку изменение периода решетки матрицы. Использование комбинированного легирования уменьшает напряжение несоответствия периодов решетки кристалла и плотность дислокаций несоответствия. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании | ru |
| dc.title.alternative | Introduction of impurity into the epitaxial layer during solid-phase doping | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The proposed combined method of doping the epitaxial layer in the course of its growing consists of introduction of additional impurity during the process. As to the properties of the main impurities, an additional admixture should cause the opposite sign of change in the lattice period. The use of combined doping reduces tensions caused by non-compliance of the crystal lattice periods and the density of non-compliance dislocations. | ru |
