Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Introduction of impurity into the epitaxial layer during solid-phase doping
Abstract
Предлагается комбинированный способ легирования эпитаксиального слоя в процессе его выращивания, заключающийся в введении дополнительной примеси. По отношению к свойствам основной примеси дополнительная примесь должна вызывать противоположное по знаку изменение периода решетки матрицы. Использование комбинированного легирования уменьшает напряжение несоответствия периодов решетки кристалла и плотность дислокаций несоответствия.
item.page.description-other
The proposed combined method of doping the epitaxial layer in the course of its growing consists of introduction of additional impurity during the process. As to the properties of the main impurities, an additional admixture should cause the opposite sign of change in the lattice period. The use of combined doping reduces tensions caused by non-compliance of the crystal lattice periods and the density of non-compliance dislocations.
Description
Citation
Гусев, О. К. Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании = Introduction of impurity into the epitaxial layer during solid-phase doping / О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 45-46.