Возможности созданные интегральныvb датчиками отрицательного магнитосопротивления в кремнии
| dc.contributor.author | Ибодуллаев, Ш. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Абдуганиев, Ю. А. | ru |
| dc.contributor.author | Шоабдурахимова, М. М. | ru |
| dc.contributor.author | Назаров, А. | ru |
| dc.contributor.author | Неъматов, О. С. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2023-01-20T12:11:34Z | |
| dc.date.available | 2023-01-20T12:11:34Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Возможности созданные интегральныvb датчиками отрицательного магнитосопротивления в кремнии / Ш. Н. Ибодуллаев [и др.] // Научные основы использования информационных технологий нового уровня и современные проблемы автоматизации : сборник трудов I Международной научной конференции, 25-26 апреля 2022 года / Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова ; Белорусский национальный технический университет ; Белорусско-узбекский совместный межотраслевой институт прикладных технических квалификаций в городе Ташкент ; Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека ; ред. А. М. Хусейнов. – Ташкент : Университет, 2022. – С. 334-335. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/125281 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Возможности созданные интегральныvb датчиками отрицательного магнитосопротивления в кремнии | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
