Browsing Материалы конференции по статьям by Author "Гусев, О. К."
Now showing items 1-4 of 4
-
Изменение зарядового состояния поверхности полимерных композиционных материалов под действием внешних факторов
Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л. (БНТУ, 2022)В работе рассмотрены методики экспериментальных исследований изменения зарядового состояния поверхности полимерных композиционных материалов под действием внешних факторов (оптического излучения) с использованием зарядочувствительного зонда в режиме сканирования поверхности.2022-12-28 -
Измерительный преобразователь систем оптической диагностики с комбинированным оптико магнитным датчиком
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2022)Предложена конструкция комбинированного оптикомагнитного датчика магниторекомбинационного транзистора. Использование в базе транзистора полупроводникоаого материала с глубокой многозарядной примесью позволяет сформировать датчик с чувствительностью к магнитному полю и оптическому излучению. Применение метода широтно-импульсной модуляции для управления скоростью рекомбинации в ...2022-12-28 -
Комбинированный оптико-магнитный преобразователь
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Жуковский, П. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2022)Применение полупроводников с глубокой многозарядной примесью позволяют создавать приборные структуры, которые могут быть использованы для построения преобразователей, чувствительных к магнитному полю и оптическому излучению. Комбинированный оптико магнитный преобразователь характеризуется свойствами функционального умножителя индукции магнитного поля и интенсивности оптического ...2022-12-28 -
Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии
Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В. (БНТУ, 2022)Рассмотрено применение установки фотостимулированной сканирующей зондовой электрометрии для выявления дефектов ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковой пластины после операции туннельного окисления, выполненной в различных технологических режимах. Измерения в двух режимах (измерения контактной разности потенциалов и визуализации длины диффузии неравновесных ...2022-12-28