Фотоэлектрический метод контроля параметров дефектов и носителей заряда в полупроводниковых структурах
| dc.contributor.author | Пастухова, О. В. | ru |
| dc.contributor.author | Сопряков, В. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-10-26T11:01:31Z | |
| dc.date.available | 2022-10-26T11:01:31Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Пастухова, О. В. Фотоэлектрический метод контроля параметров дефектов и носителей заряда в полупроводниковых структурах / О. В. Пастухова, В. И. Сопряков // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 97. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/122046 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Фотоэлектрический метод контроля параметров дефектов и носителей заряда в полупроводниковых структурах | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
