Технология эпитаксиальных плёнок GaAs
| dc.contributor.author | Шугалей, Ю. В. | ru |
| dc.contributor.author | Сычик, В. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-09-22T07:30:53Z | |
| dc.date.available | 2022-09-22T07:30:53Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Шугалей, Ю. В. Технология эпитаксиальных плёнок GaAs / Ю. В. Шугалей, В. А. Сычик // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 195. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/119530 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Технология эпитаксиальных плёнок GaAs | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
