| dc.contributor.author | Манего, С. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:13Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:13Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Манего, С. А. Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев InP = Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP / С. А. Манего // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 302-304. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109550 | |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев подложек фосфида индия. Анализ влияния предэпитаксиального процесса подготовки подложек InP проводился методом дифракции быстрых электронов на отражения и по измерению интегральной интенсивности длинноволновой полосы (1,08 эВ) и коротковолновой полосы (1,41 эВ) люминесценции. Установлено, что минимальные нарушения приповерхностных слоев наблюдались при парциальных давлениях фосфина (3–5)·102 Па, в температурном диапазоне 400–960 К. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев InP | ru |
| dc.title.alternative | Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The influence of physical and technological factors on the structural perfection of the near-surface layers of indium phosphide substrates is investigated. The influence of the preepitaxial process of preparation of InP substrates was analyzed by fast electron diffraction on reflections and by measuring the integral intensity of the long-wavelength band (1.08 eV) and short-wavelength band (1.41 eV) luminescence. It was found that minimal disturbances of the near-surface layers were observed at partial pressures of phosphine (3–5)·102 Pa, in the temperature range 400–960 K. | ru |
