| dc.contributor.author | Борисенок, С. В. | ru |
| dc.contributor.author | Воробей, Р. И. | ru |
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свистун, А. И. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, А. К. | ru |
| dc.contributor.author | Тявловский, К. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Колтунович, Т. Н. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2022-02-02T08:10:12Z | |
| dc.date.available | 2022-02-02T08:10:12Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Измерительный фотоэлектрический преобразователь с управляемой характеристикой спектральной чувствительности = The measuring photo-electric transducer with the managed characteristic of spectral sensitivity / С. В. Борисенок [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 31-32. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/109541 | |
| dc.description.abstract | Предложена схема управления видом спектральной характеристики чувствительности фотоэлектрического преобразователи на основе полупроводникового фотоприемника с глубокой многозарядной примесью с использованием метода широтно-импульсной модуляции. Управление видом спектральной характеристики чувствительности для большинства комбинаций материалов полупроводника и глубокой многозарядной примеси осуществляется в диапазоне до 8 мкм. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Измерительный фотоэлектрический преобразователь с управляемой характеристикой спектральной чувствительности | ru |
| dc.title.alternative | The measuring photo-electric transducer with the managed characteristic of spectral sensitivity | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
| local.description.annotation | The control circuit by a type of a spectral characteristic of sensitivity photo-electric transformers on the basis of a semiconductor photodetector with deep multicharging impurity with use of a method of pulsewidth modulation is offered. Management of a type of a spectral characteristic of sensitivity for the majority of combinations of materials of the semiconductor and deep multicharging impurity is carried out in the range up to 8 microns. | ru |
