На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с мелким и глубоким стоком. Рассчитаны плотности электронного тока в данных транзисторах. Показано, что в структурах с мелким стоком электронный ток протекает в узком приповерхностном слое, что может способствовать появлению высоких паразитных токов.