Исследование характеристик лавинных фотодиодов с охранными областями / Н. Н. Корытко, В. С. Малышев, В. Б. Залесский, В. В. Хатько // Приборостроение-2009 : материалы 2-й Международной научно-технической конференции, 11-13 ноября 2009 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 286-287.

Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены ...