Browsing by Author "Левченко, Н. В."

Now showing items 1-4 of 4

    • Ab-Initio моделирование электронных свойств сверхтонких пленок оксидов редкоземельных элементов для сенсорных наносистем 

      Гулай, А. В.; Колешко, В. М.; Стемпицкий, В. Р.; Левченко, Н. В.; Гулай, В. А.; Козлова, О. А. (БНТУ, 2014)
      Выполнено Ab-Initio моделирование электронных свойств сенсорных наноматериалов на основе редкоземельных оксидов (например, оксида иттрия). Предложен способ моделирования тонких пленок нанометрового масштаба в программном пакете VASP, заключающийся в имитации слоя материала с толщиной, равной размеру элементарной кристаллической ячейки. Разрыв атомных связей в кристалле по одной ...
      2014-09-26

    • Визуализация структуры сенсорных наноматериалов с использованием программы VESTA 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А.; Левченко, Н. В. (БНТУ, 2014)
      Электронное учебно-методическое пособие содержит материал для изучения студентами кафедры “Интеллектуальные системы”, который позволяет студентам понять основные идеи визуализации наноматериалов с помощью программы VESTA на примере оксида иттрия (Y2O3), а также предоставляет возможности для реализации творческого потенциала при визуализации собственных наноструктур. Изложены ...
      2014-03-19

    • Моделирование электронных свойств сенсорных материалов на основе редкоземельных оксидов 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Лысковский, В. В.; Гулай, В. А.; Крупская, Е. В.; Левченко, Н. В. (ГрГУ им. Я. Купалы, 2011)
      В статье выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия.
      2020-11-12

    • Сенсорные материалы на основе редкоземельных оксидов: моделирование электронных свойств 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Лысковский, В. В.; Гулай, В. А.; Крупская, Е. В.; Левченко, Н. В. (БНТУ, 2012)
      Выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия. Определена спиновая поляризация носителей заряда вблизи уровня Ферми, которая, например, для оксида самария составляет 48,72%.
      2020-02-28