Browsing by Author "Лагунович, Н. Л."

Now showing items 1-2 of 2

    • Моделирование светоизлучающих p–n-структур на основе GaAs 

      Лагунович, Н. Л. (БНТУ, 2025)
      Разработана одномерная модель p–n-структуры на основе GaAs, с помощью которой выполнено приборное моделирование указанного светоизлучающего перехода и исследованы его электрофизические свойства. Моделирование выполнено с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения рассмтриваемой диодной структуры ...
      2026-01-14

    • Усовершенствованный технологический маршрут формирования биполярного транзистора со статической индукцией 

      Лагунович, Н. Л. (БНТУ, 2018)
      Усовершенствованный маршрут отличается от уже известных тем, что при формировании охранного кольца и металлических контактов используется один и тот же фотошаблон. Это позволило не только сократить количество используемых фотошаблонов, но и получить прибор с требуемыми электрическими характеристиками. Приводятся результаты технологического и приборного моделирования биполярного ...
      2018-02-09