В работе обсуждаются естественные неоднородности потенциала на поверхности вырожденного полупроводника и флуктуации высоты барьера в контактах металл-полупроводник. Определены характерные значения амплитуды хаотического потенциала в случае линейного экранирования электроактивной примеси. Показана зависимость данных неоднородностей от электрофизических параметров полупроводника.