Объектом исследования являются свойства эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Цель работы — получение новой информации о диэлектрической функции и электрооптических свойствах эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Методами спектроскопической эллипсометрии, отражения, электро- и фотоотражения и фотолюминесценции ...