Browsing by Author "Доманевский, Д. С."

Now showing items 1-20 of 73

    • Алгоритмы и способы определения истинного значения измеряемой величины Хi 

      Лапицкая, В. А.; Ширяева, Т. И.; Доманевский, Д. С. (БНТУ, 2010)
      Лапицкая, В. А. Алгоритмы и способы определения истинного значения измеряемой величины Хi / В. А. Лапицкая, Т. И. Ширяева, Д. С. Доманевский // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, ...
      2018-01-11

    • Анализ спектров люминесценции светодиодных линеек фирмы Paragon 

      Доманевский, Д. С.; Манего, С. А.; Трофимов, Ю. В. (БНТУ, 2012)
      Доманевский, Д. С. Анализ спектров люминесценции светодиодных линеек фирмы Paragon / Д. С. Доманевский, С. А. Манего, Ю. В. Трофимов // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, ...
      2021-05-26

    • Аналоговые и цифровые электроизмерительные приборы 

      Черный, В. В.; Александрова, Э. Н.; Доманевский, Д. С.; Малаховская, В. Э.; Развин, Ю. В. (БНТУ, 2012)
      Издание содержит описание (теоретическую часть, схемы измерительных приборов и задание) лабораторной работы, посвященной изучению аналоговых и цифровых электроизмерительных приборов. Предназначено для студентов инженерных специальностей, изучающих раздел курса общей физики «Электричество и магнетизм».
      2013-12-03

    • Влагометрия на основе сверхширокополосной (СШП) технологии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С. (БНТУ, 2006)
      Бумай, Ю. А. Влагометрия на основе сверхширокополосной (СШП) технологии / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – ...
      2021-11-12

    • Влияние высоких давлений и температур на гексагональный нитрид галлия 

      Дудяк, А. И.; Доманевский, Д. С.; Гобш, Г.; Новиков, В. П.; Жоховец, С. В. (БНТУ, 2003)
      Влияние высоких давлений и температур на гексагональный нитрид галлия / А. И. Дудяк [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы международной научно-технической конференции / Белорусский национальный технический университет ; под общ. ред. Б. М. Хрусталева, В. Л. Соломахо. – Минск : Технопринт, 2003. – Т. 1. – С. 369-371.
      2021-10-21

    • Влияние деградации полимерных линз на оптические свойства светодиодов 

      Бумай, Ю. А.; Бобученко, Д. С.; Доманевский, Д. С.; Куклицкая, А. Г.; Манего, С. А.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2014)
      Влияние деградации полимерных линз на оптические свойства светодиодов / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2014 : материалы 7-й Международной научно-технической конференции (19–21 ноября 2014 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. колл.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2014. – С. 264-265.
      2015-03-23

    • Влияние деградации рассеивателей светоизлучающих диодов, облученных быстрыми электронами, на результаты спектральных исследований 

      Бобученко, Д. С.; Бумай, Ю. А.; Доманевский, Д. С.; Куклицкая, А. Г.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2014)
      Влияние деградации рассеивателей светоизлучающих диодов, облученных быстрыми электронами, на результаты спектральных исследований / Д. С. Бобученко [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 456-457.
      2015-02-10

    • Влияние облучения быстрыми электронами на электрические и оптические свойства мощных светодиодов 

      Доманевский, Д. С.; Бобученко, Д. С.; Бумай, Ю. А.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2013)
      Влияние облучения быстрыми электронами на электрические и оптические свойства мощных светодиодов / Д. С. Доманевский [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 11-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2013. - С. 304.
      2015-11-11

    • Вязкость. Ламинарный и турбулентный режимы течения жидкостей и газов 

      Балбатун, С. Ю.; Сарнацкий, А. А.; Доманевский, Д. С. (БНТУ, 2009)
      Балбатун, С. Ю. Вязкость. Ламинарный и турбулентный режимы течения жидкостей и газов / С. Ю. Балбатун, А. А. Сарнацкий, Д. С. Доманевский // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 248.
      2022-10-26

    • Деградация мощных светодиодов при облучении быстрыми электронами 

      Бумай, Ю. А.; Доманевский, Д. С.; Куклицкая, А. Г.; Новоселов, А. М.; Трофимов, Ю. В.; Шумак, Д. В. (БНТУ, 2012)
      Деградация мощных светодиодов при облучении быстрыми электронами / Ю. А. Бумай, Д. С. Доманевский, А. Г. Куклицкая [и др.] // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 252-254.
      2026-03-11

    • Динамический импеданс-спектрометр тепловых процессов в полупроводниковых приборах 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Ломако, В. М.; Кононенко, В. К.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С. (БНТУ, 2008)
      Динамический импеданс-спектрометр тепловых процессов в полупроводниковых приборах / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский [и др.] // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. – С. 62-63.
      2026-03-16

    • Измеритель активного сопротивления 

      Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Зинкевич, Ю. В. (1987)
      Измеритель активного сопротивления : а. с. 1310744 СССР : МПК4 G01R27/00 / О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, Ю. В. Зинкевич ; заявитель Белорусский политехнический институт ; дата публ.: 15.05.1987.
      2021-02-10

    • Измеритель комплексного сопротивления 

      Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Зинкевич, Ю. В. (1988)
      Измеритель комплексного сопротивления : а. с. 1413550 СССР : МПК4 G01R27/00 / О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, Ю. В. Зинкевич ; заявитель Белорусский политехнический институт ; дата публ.: 30.07.1988.
      2020-11-26

    • Изучение влияния облучения быстрыми электронами на спектры электролюминесценции светоизлучающих диодов 

      Бобученко, Д. С.; Доманевский, Д. С.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2012)
      Изучение влияния облучения быстрыми электронами на спектры электролюминесценции светоизлучающих диодов / Д. С. Бобученко, Д. С. Доманевский, Ю. В. Трофимов, В. И. Цвирко // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – ...
      2026-03-11

    • Импульсные вольт-амперные характеристики синих GaN светодидов 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Доманевский, Д. С.; Шмидт, Н. М. (БНТУ, 2008)
      Импульсные вольт-амперные характеристики синих GaN светодидов / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, Д. С. Доманевский, Н. М. Шмидт // Приборостроение-2008 : материалы 1-й Международной научно-технической конференции, 12-14 ноября 2008 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. – С. 215-216.
      2026-03-16

    • Использование данных электролюминесценции для прогнозирования надежности светодиодов 

      Доманевский, Д. С.; Манего, С. А.; Черный, В. В.; Шумак, Д. В. (БНТУ, 2012)
      Использование данных электролюминесценции для прогнозирования надежности светодиодов / Д. С. Доманевский, С. А. Манего, В. В. Черный, Д. В. Шумак // Приборостроение-2012 : материалы 5-й Международной научно-технической конференции, 21–23 ноября 2012 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – ...
      2026-03-11

    • Использование компьютерного моделирования для оценки времени жизни светодиодов в составе светильника 

      Доманевский, Д. С.; Хорунжий, И. А.; Бумай, Ю. А.; Куклицкая, А. Г.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2013)
      Использование компьютерного моделирования для оценки времени жизни светодиодов в составе светильника / Д. С. Доманевский, И. А. Хорунжий, Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение-2013 : материалы 6-й Международной научно-технической конференции (20–22 ноября 2013 года, Минск, Республика Беларусь) / ред. кол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 288-290.
      2025-06-12

    • Исследование влияния поверхностного слоя мелкодисперсных частиц производственной пыли и сажи на спектры излучения и нагрев светодиодных осветителей 

      Бумай, Ю. А.; Доманевский, Д. С.; Куклицкая, А. Г.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2014)
      С целью изучения влияния поверхностного слоя загрязнений на спектральный состав излучения были проведены модельные эксперименты на отдельных светоизлучающих диодах, входящих в состав светодиодных излучателей.
      2015-03-16

    • Исследование влияния ультразвукового излучения и тепловой наработки на электрические и оптические параметры светодиодов 

      Бумай, Ю. А.; Бобученко, Д. С.; Доманевский, Д. С.; Манего, С. А.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (БНТУ, 2014)
      Рассмотрено изменения электрических и оптических параметров светодиодов Nichia, происшедших в процессе тепловой наработки, и светодиода Helio, происшедших в результате воздействия ультразвукового излучения.
      2015-03-23

    • Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе 

      Жоховец, С. В.; Жоховец, Л. В.; Герасимович, А. А.; Пьех, С. Б. (2000)
      Объектом исследования являются свойства эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Цель работы — получение новой информации о диэлектрической функции и электрооптических свойствах эпитаксиальных слоев GaN и SiC и квантоворазмерных структур на их основе. Методами спектроскопической эллипсометрии, отражения, электро- и фотоотражения и фотолюминесценции ...
      2024-01-26