Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12 мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89—1,03 и 0,90—0,99 ...