Browsing by Author "Павлюченко, В. В."

Now showing items 41-60 of 92

    • Прохождение импульсов электромагнитного поля через щели между металлическими образцами 

      Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2006)
      Павлюченко, В. В. Прохождение импульсов электромагнитного поля через щели между металлическими образцами / В. В. Павлюченко // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Третьей международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. ...
      2021-11-16

    • Разработка методов контроля свойств объектов в импульсных магнитных полях 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2021)
      Представлены разработки методов контроля свойств металлических объектов с помощью пленочных преобразователей магнитного поля: сплошного и дискретного магнитного носителя, магнитооптической пленки и пленочного флюкс-детектора. При этом использованы полученные авторами результаты исследований гистерезисной интерференции в импульсных магнитных полях и представлены примеры алгоритмов. ...
      2021-07-02

    • Разработка способов и устройств магнитоимпульсного контроля 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. А. (БНТУ, 2011)
      Павлюченко, В. В. Разработка способов и устройств магнитоимпульсного контроля / В. В. Павлюченко, Е. А. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Девятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2011. – Т. 3. – С. 365.
      2021-09-28

    • Разработка устройств магнитоисмпульсивного контроля объектов 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. C. (БНТУ, 2012)
      Павлюченко, В. В. Разработка устройств магнитоисмпульсивного контроля объектов / В. В. Павлюченко, Е. C. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2012. – Т. 3. – С. 394.
      2021-05-26

    • Разработка устройства контроля электрических и магнитных свойств материалов с формированием оптических изображений 

      Павлюченко, В. В.; Сычик, В. А.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2009)
      Павлюченко, В. В. Разработка устройства контроля электрических и магнитных свойств материалов с формированием оптических изображений / В. В. Павлюченко, В. А. Сычик, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, ...
      2021-10-08

    • Распределение напряженности импульсного магнитного поля вблизи электропроводящих объектов 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2008)
      Павлюченко, В. В. Распределение напряженности импульсного магнитного поля вблизи электропроводящих объектов / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – ...
      2021-08-30

    • Распределения отраженных и прошедших через металл импульсных магнитных полей локального источника 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2021)
      Представлены зависимости U(t) электрического напряжения от времени t на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей, прошедших через пластины из алюминия толщиной от 0,18 мм до 0,28 мм. На МН воздействовали четырьмя импульсами магнитного поля линейного индуктора. Получена гистерезисная интерференция импульсного магнитного поля в прошедшей ...
      2021-07-02

    • Расчет напряженности магнитного поля при контроле электрических и магнитных свойств объектов 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2014)
      Павлюченко, В. В. Расчет напряженности магнитного поля при контроле электрических и магнитных свойств объектов / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 487-488.
      2015-02-11

    • Расчеты вторичных магнитных полей электропроводящих объектов 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (2016)
      Дорошевич, Е. С. Расчеты вторичных магнитных полей электропроводящих объектов / Е. С. Дорошевич, В. В. Павлюченко // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 459.
      2017-09-01

    • Расчеты параметров оптических изображений объектов, полученных с помощью датчиков импульсных магнитных полей 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2020)
      На основании разработанных методов контроля получены расчетные зависимости U(x) электрического напряжения, снимаемого с преобразователя магнитного поля, сканирующего магнитный носитель (МН) от расстояния x до проекции оси линейного индуктора. Найденные зависимости U(x) для алюминиевого образца в виде клина позволяют повысить оперативность контроля толщины по длине образца, а также ...
      2020-09-10

    • Расчеты распределений импульсных магнитных полей 

      Дорошевич, Е. С.; Павлюченко, В. В. (БНТУ, 2023)
      Представлены расчетные распределения величины электрического напряжения U на выходе магнитной головки (МГ), сканирующей магнитный носитель (МН), по координате x. На МН воздействовали импульсами магнитного поля линейного индуктора. Предложены расчеты с многократным использованием начальной и гистерезисных ветвей остаточного намагничивания МН при построении гистерезисной интерференции. ...
      2023-10-13

    • Расчеты распределений импульсных магнитных полей вторичных источников 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (Белорусско-Российский университет, 2017)
      В статье изложены результаты расчетов пространственных распределений электрического напряжения U(x), снимаемого с преобразователя магнитного поля, при гистерезисной интерференции импульсного магнитного поля (HI). Гистерезисные ветви остаточных магнитных полей магнитного носителя представлены в виде функций арктангенса. Графики рассчитаны с помощью программного языка Delphi. ...
      2021-07-12

    • Расчеты распределений импульсных магнитных полей при гистерезисной интерференции 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С.; Пивоваров, В. Л. (Наука, 2018)
      Представлены расчеты распределений электрического напряжения U(x), снимаемого с преобразователя магнитного поля, соответствующие распределениям остаточных магнитных полей магнитного носителя, возникающих при воздействии на него импульсными магнитными полями линейного индуктора разной полярности. Графики получены с помощью программного языка Delphi. Явление гистерезисной интерференции ...
      2023-10-05

    • Расчеты распределений электрического сигнала преобразователя магнитного поля 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2022)
      Представлены расчетные зависимости U(x) электрического напряжения от координаты x на выходе магнитной головки, сканирующей магнитный носитель (МН) с записями магнитных полей. На МН воздействовали тремя импульсами магнитного поля одного и двух линейных индукторов. Расчеты проведены в отраженной волне. Получена гистерезисная интерференция импульсного магнитного поля, позволяющая ...
      2022-07-04

    • Системы управления магнитными полями 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (БНТУ, 2008)
      Павлюченко, В. В. Системы управления магнитными полями / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 2. – С. 287.
      2021-08-30

    • Способ контроля дефектности, толщины, электрических и магнитных свойств объекта из электропроводящего материала 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С.; Пивоваров, В. Л. (2017)
      Способ контроля дефектности, толщины, электрических и магнитных свойств объекта из электропроводящего материала : пат. 21362 Респ. Беларусь : МПК(2006.01) G01N27/72 / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич, В. Л. Пивоваров ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2017.10.30.
      2019-11-15

    • Способ контроля дефектности, толщины, электрических и магнитных свойств объекта из электропроводящего материала 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (2017)
      Способ контроля дефектности, толщины, электрических и магнитных свойств объекта из электропроводящего материала : пат. 21370 Респ. Беларусь : МПК(2006.01) G01N27/72 / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2017.10.30.
      2019-11-15

    • Способ контроля свойств объекта из электропроводящего материала 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (2012)
      Способ контроля свойств объекта из электропроводящего материала : пат. 16239 Респ. Беларусь : МПК(2006.01) G01N27/72 / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2012.08.30.
      2019-10-21

    • Способ контроля свойств объекта из электропроводящего материала 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (2012)
      Способ контроля свойств объекта из электропроводящего материала : пат. 16238 Респ. Беларусь : МПК(2006.01) G01N27/72 / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2012.08.30.
      2019-10-21

    • Способ контроля удельной электропроводности, магнитной проницаемости, а также толщины и дефектов сплошности электропроводящего объекта 

      Павлюченко, В. В.; Дорошевич, Е. С. (2018)
      Способ контроля удельной электропроводности, магнитной проницаемости, а также толщины и дефектов сплошности электропроводящего объекта : пат. 21657 Респ. Беларусь : МПК(2006.01) G01N27/72 / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2018.02.28.
      2019-11-15