Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами
Loading...
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20081728
Abstract
Объектом исследования являются двухбарьерные полупроводниковые структуры с глубокими центрами, используемые в качестве основы для построения многофункциональных фотоприемников. Целью работы является разработка физических принципов построения многофункциональных одноэлементных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами и разработка теоретических основ выполнения многопараметрических измерений с помощью данных фотодетекторов.
item.page.description-other
Description
Citation
Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20081728 / Белорусский национальный технический университет ; рук. А. К. Тявловский ; исполн.: А. И. Свистун, Н. В. Яржембицкая. – Минск : [б. и.], 2010.