Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами

Свистун, А. И.; Яржембицкая, Н. В.

Authors

Свистун, А. И.

Яржембицкая, Н. В.

xmlui.dri2xhtml.METS-1.0.item-supervisor

Тявловский, А. К.

Date

2010

Another Title

Отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20081728

Bibliographic entry

Разработать физические принципы многофункциональных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами : отчет о НИР (заключительный) : № ГР 20081728 / Белорусский национальный технический университет ; рук. А. К. Тявловский ; исполн.: А. И. Свистун, Н. В. Яржембицкая. – Минск : [б. и.], 2010.

Abstract

Объектом исследования являются двухбарьерные полупроводниковые структуры с глубокими центрами, используемые в качестве основы для построения многофункциональных фотоприемников. Целью работы является разработка физических принципов построения многофункциональных одноэлементных фотодетекторов на основе двухбарьерных полупроводниковых структур с глубокими центрами и разработка теоретических основ выполнения многопараметрических измерений с помощью данных фотодетекторов.